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Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例

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TOC\o1-3\h\u7807Si基ZnO异质结二极管的制备方法和改进分析案例 1

269331.1Si基ZnO异质结二级管的制备方法 1

191081.1.1CVD蒸汽俘获法 1

139731.1.2磁控溅射法 2

8211.2Si基ZnO异质结二极管的改进 3

267284.2.1Si基ZnO异质结太阳能电池带隙优化 3

87744.2.2插入圆顶微结构对异质结紫外光电探测器件性能的影响 5

61994.2.3改用多孔Si提高紫外-可见光传感特性 6

276384.2.4N2流量对紫外探测性能的影响 6

Si基ZnO异质结二级管的制备主要在于制备出良好性能的Si基ZnO异质结，因为异质结的性能直接决定着二极管的性能和功能。但普通结构的Si基ZnO异质结还不具有最良好的性能，因此需要对异质结的结构，半导体的材料的结构做进一步的改良和完善。其中，多孔Si结构可以提高紫外-可见光的敏感特性，引用了圆顶状微结构后也可以提高异质结的紫外光电探测性能。由此可见，异质结结构的改进很明显的改良了二极管的性能。

1.1Si基ZnO异质结二级管的制备方法

异质结二极管的制备方法主要介绍了两种，CVD蒸汽俘获法和磁控溅射法，CVD蒸汽俘获法是经过修正的化学气相沉积法。磁控