CN119789486A 一种n型横向器件及制备方法 （南京信息工程大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789486A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510281431.8

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人南京信息工程大学

地址210032江苏省南京市江北新区宁六

路219号

(72)发明人孙与飏张加宏邓钰冰董凯珠卢光林

(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限

公司32200

专利代理师王慧

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图11页

(54)发明名称

一种N型横向器件及制备方法

(57)摘要

CN119789486A本发明公开了一种N型横向器件及制备方法，该器件在传统横向双扩散金属氧化物半导体基础上，增设另一组栅极与电流通路，通过下多晶硅栅与上多晶硅栅协同控制，形成两条并联的源漏电流通路；同时在N—硅层內嵌入一个浮置P型硅层，在相同击穿电压下，可以提高N—硅层的掺杂浓度，从而进一步降低器件的导通电阻。制备方法中利用Si_SiO2键合、离子注入、等离子刻蚀、原子层淀积及热氧化层生长等工艺方法制备器件，其制备工艺兼容标准CMOS工艺。在相同芯片面积下，本发明器件的