集成电路工艺原理.ppt

1/43集成电路工艺原理

2/43大纲第一章前言第二章晶体生长第三章实验室净化及硅片清洗第四章光刻第五章热氧化第六章热扩散第七章离子注入第八章薄膜淀积第九章刻蚀第十章后端工艺与集成第十一章未来趋势与挑战

3/43上两节课总结理论分辨率：短波长光源大NA：透镜系统、浸润小k1：RET及工艺和光刻胶改进PSMOPCOAI焦深:

4/43SiO2与Si之间完美的界面特性是成就硅时代的主要原因硅工艺中的一系列重要硅基材料：SiO2：绝缘栅/绝缘/介质材料；Si3N4：介质材料，用作钝化/掩蔽等；多晶硅：可以掺杂，导电；硅化物：导电，作为接触和互连……

5/43TEM照片——单晶硅表面热氧化所得非晶二氧化硅薄膜

6/43SiO2的基本性质通常热氧化生长的SiO2是非晶的熔点：1732?C(晶体结构)重量密度：2.27g/cm3原子密度：2.2×1022分子/cm3折射率(refractiveindex)n=1.46介电常数(dielectricconstant)?＝3.9

7/43可以方便地利用光刻和刻蚀实现图形转移可以作为多数杂质掺杂的掩蔽(B,P,As,Sb)优秀的绝缘性能(?1016?cm,Eg9eV)很