计算机行业研究_电RAM与DRAM对比分析_11页_2mb.pptxVIP

行业观点电容是算力系统的电RAM，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇（5月16日）即提出电容是新的电RAM——HBM是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电RAM与DRAM的相似之处主要有以下几点：存储系统的DRAM刷新—缓存层级—容量墙，分别对应电容在AI供电系统中的充放电响应—多级时间常数—容量配置。二者在系统角色、层级结构、量价驱动上高度同构，并非只是修辞上的相似。算力越强，对电能缓冲的依赖越深，正如算力越强对数据缓冲的依赖越深——这是电容需求脱离按GPU颗数线性外推的根本原因。电容体系是一张按时间常数分层的缓冲网络，每一类电容对应一个供电时间尺度