CN119815825A 半导体器件的器件结构、制备方法及电子设备 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815825A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202311303627.X

(22)申请日2023.10.09

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十街18号院11号楼四层

401室

(72)发明人宋艳鹏王祥升王海玲刘晓萌王桂磊赵超

(74)专利代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138

专利代理师蔡静

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书9页附图11页

(54)发明名称

半导体器件的器件结构、制备方法及电子设

备

(57)摘要

CN119815825A本申请公开了一种半导体器件的制备方法和电子设备，所述方法包括：在衬底上交替堆叠多个绝缘层与金属层，形成叠层结构；在所述叠层结构内形成多层阵列排布的多个晶体管，所述晶体管包括通孔、第一隔离层、第二隔离层、沟道层、栅介质层以及金属栅层；所述第一隔离层和所述第二隔离层位于所述通孔相对的两个侧壁，所述沟道层分别覆盖在所述第一隔离层和所述第二隔离层的侧壁，形成第一沟道、第二沟道、第三沟道以及第四沟道；所述栅介质层覆盖所述沟

CN119815825A

CN11981