CN119815913A 半导体结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815913A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202311304771.5

(22)申请日2023.10.09

(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

地址201203上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区张江路18号

(72)发明人范义秋

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327

专利代理师高静

(51)Int.Cl.

H10D84/85(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

权利要求书2页说明书14页附图18页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119815913A一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括衬底，衬底包括隔断区和器件区；器件鳍部，位于器件区的衬底上，隔离鳍部，位于隔断区的衬底上。本发明采用隔离鳍部替代了位于隔断区的器件鳍部，因而省去了现有技术中在形成器件鳍部之后去除隔断区器件鳍部的步骤，避免了去除器件鳍部的工艺对剩余器件鳍部的应力作用，从而降低了所述器件鳍部发生鳍部弯曲问题的

CN119815913A

CN119815913A权利要求书