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InSb基窄带半导体薄膜：分子束外延技术与光电特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子学领域中扮演着至关重要的角色。其中，InSb基窄带半导体薄膜因其独特的物理性质，如高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征，在自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体-超导器件等多个前沿领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的热点材料之一。

在自旋电子学领域，InSb基窄带半导体薄膜具有重要的应用前景。自旋电子学旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，相较于传统的电子学，具有低功耗、高速度和非易失性等显著优势，