CN119834061A 一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法 （苏州长光华芯光电技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119834061A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510329278.1

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人苏州长光华芯光电技术股份有限公司

地址215163江苏省苏州市高新区漓江路

56号

申请人苏州长光华芯半导体激光创新研究

院有限公司

(72)发明人王俊肖垚李泉灵高元斌

张昊刘恒苗霈陆兴东赵武

(74)专利代理机构北京聿宏知识产权代理有限

公司11372

专利代理师吴大建杨娟

(51)Int.Cl.

H01S5/183(2006.01)

H01S5/30(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图1页

(54)发明名称

一种高功率高效率单模半导体发光结构及

其制备方法

(57)摘要

CN119834061A本发明提供一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法，高功率高效率单模半导体发光结构包括：沿第一方向排布的第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜，第一布拉格反射镜的反射率大于第二布拉格反射镜的反射率；位于第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜之间沿第一方向排布的多个有源层、以及电流限制层；电流限制层包括出光区和环绕出光区的氧化区；隧道结，位于相邻的有源层之间；