CN119835992A 一种沟槽结构的制造方法 （青岛澳柯玛云联信息技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835992A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311317154.9

(22)申请日2023.10.11

(71)申请人青岛澳柯玛云联信息技术有限公司

地址266000山东省青岛市黄岛区太行山

路2号

(72)发明人请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师李仪萍

(51)Int.Cl.

H10D84/01(2025.01)

H10D84/85(2025.01)

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种沟槽结构的制造方法

(57)摘要

CN119835992A本发明公开了一种沟槽结构的制造方法，该沟槽结构的制造方法包括提供一待处理的半导体基底，该半导体基底包括半导体衬底以及间隔形成于半导体衬底的表面的上方的栅极结构，相邻栅极结构之间的半导体衬底中形成有沟槽结构，通入六氟化硫等离子体对沟槽结构进行第一次预处理，通入氯气对沟槽结构进行第二次预处理。由此，本发明通过六氟化硫等离子体以及氯气相结合的方式对沟槽结构的表面进行处理，在保证去除沟槽结构表面残余的污染物的前提下，能够有效改善沟槽结构的图形变形问题，同时