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电Ram和功率半导体开启涨价潮

行业观点

n电容与功率半导体正从结构性短缺走向系统性涨价，全产业链调价周期已开启。涨价已从MLCC向铝电解电容、薄膜电容、超级电容及功率器件全面扩散，日系、台系及大陆厂商先后发函调涨，形成全品类涨价浪潮。具体而言，日本尼吉康于6月宣布全面涨价10%-15%，佳美工同步跟进，国内江海6股月份0日将调价范围扩大

至三大品类。驱动逻辑可从两个维度理解：成本侧，地缘冲突推高铝箔、化工原料及电力等核心生产要素价格；需求侧，AI服务器电容用量为传统服务器的3至10倍，功率订单呈现爆满状态。成本推动与需求拉动形成合力，行业加速低端产能出清，电力电子产业链价格传导机制已全面激活，市场份额向具备全链条能力的头部企业集中。

n电容是算力系统的“电RAM”，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇即提出“电容是新的电RAM”——HBM是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电RAM与DRAM在系统角色上存在三重高度同构：DRAM的“刷新—缓存层级—容量墙”，分别对应电容在AI供电系统中的“充放电响应—多级时间常数—容量配置”。二者在物理层面共享电荷存储与释放的器件原理，在系统层面共同承担“为高速运算提供够快、够近的即时缓冲”的核心角色。算力越强，对电能缓冲的依赖越深，正如算力越强对数据缓冲的依赖越深——这是电