蓝宝石图形衬底制备工艺及其对GaN基发光二极管γ辐照效应的影响研究.docxVIP

蓝宝石图形衬底制备工艺及其对GaN基发光二极管γ辐照效应的影响研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，蓝宝石图形衬底和GaN基发光二极管（LED）都占据着极为重要的地位。蓝宝石图形衬底凭借其成熟的生产技术、良好的稳定性以及较高的机械强度，成为当前生长GaN基材料和器件外延层的主流选择，被广泛应用于LED制造。它不仅能为外延层提供稳定的生长平台，其独特的结构还能有效改善LED的内部光学特性，提高光线的提取效率，从而提升LED的发光性能，在提升LED性能方面发挥着不可替代的作用。

GaN基LED作为新一代的半导体发光器件，具有发光效率高、节能、寿命长、绿色环保等显著优点，被广泛应用于照明、显示、背光、汽车车灯等众多领域。在照明领域，其高效节能的特性有助于缓解能源危机，推动绿色照明的发展；在显示领域，它能提供更鲜艳的色彩和更高的对比度，提升显示效果。随着市场对高性能LED需求的不断增长，GaN基LED在光电子产业中的地位愈发重要，其性能的进一步提升对于推动整个产业的发展具有关键意义。

然而，在一些特殊的应用环境中，如空间探索、核能领域以及医疗辐射环境等，GaN基LED会受到各种辐射的影响，其中γ辐照是较为常见且具有重要影响的一种辐射形式。γ射线具有较强的穿透能力，能够深入材料内部与原子相互作用，导致材料的微观结构发生