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2025年长鑫存储实习岗在线测评100%原题及答案

一、单项选择题(10题，每题2分)

1.在DRAM存储单元中，用于存储数据的基本元件是：

A.晶体管

B.磁畴

C.电容

D.电阻

2.下列哪项是NANDFlash与NORFlash的主要区别？

A.读写速度

B.存储单元结构

C.随机访问能力

D.以上都是

3.半导体制造中，光刻工艺的核心目的是：

A.沉积材料层

B.转移电路图案

C.清洗晶圆表面

D.测试电性能

4.3DNAND技术通过什么方式提升存储密度？

A.缩小晶体管尺寸

B.增加存储单元堆叠层数

C.改变单元材料

D.提高读写电压

5.下列哪项不属于半导体前道工艺？

A.薄膜沉积

B.离子注入

C.芯片封装

D.化学机械抛光

6.DRAM刷新操作是为了解决：

A.读写干扰

B.电容电荷泄漏

C.行地址冲突

D.位线噪声

7.刻蚀工艺中，干法刻蚀相比湿法刻蚀的优势在于：

A.成本更低

B.各向异性更好

C.材料兼容性更广

D.环保性更高

8.半导体器件的可靠性测试通常不包括：

A.HTOL（高温工作寿命）

B.