关注光模块及CoWoP中mSAP工艺的应用及设备投资机会_16页_1mb.pptxVIP

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mSAP工艺的优势

减成法（Sustractive）、标准半加成法（SAP）、改良半加成法（mSAP）对比

SAPvsmSAP：更薄初始铜层+图形电镀+差分蚀刻+光刻工艺升级

各类工艺参数对比

mSAP工艺的挑战

mSAP工艺的应用

mSAP的应用：1）1.6T光模块：最小线宽/线距缩小至15μm，mSAP成为必选项

SAP的应用：2）CoWoP封装：类载板SLP的应用，MSAP工艺成为必选项

MSAP工艺对设备的要求和相关标的

风险提示;1.1减成法（Sustractive）、标准半加成法（SAP）、改良半加成法（mSAP）对比;1.2SAPvsmSAP：更薄初始铜层+图形电镀+差分蚀刻+光刻工艺升级;1.3各类工艺参数对比;然而，mSAP也并非完美。其挑战主要体现在以下几个方面：

工艺控制难度大：mSAP要求在铜沉积、图形形成和蚀刻步骤中实现极高的一致性，对生产设备、制程参数与材料稳定性要求极高。

良率控制压力大：线宽线距越小，工艺容错率越低。微小瑕疵都可能导致开路、短路或信号干扰，增加

良率控制成本。

成本偏高：相比传统SAP工艺，mSAP在设备、材料与检测环节投入更大，目前多用于高端载板与高频高速应用，尚未大规模普及至中低端领域。

相较而言，SAP工艺因其稳定性较强、良率较高，目前在多数高端智能手机和消费类电子中仍是主力工