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优化缓冲层界面工艺提升CZTSSe太阳能电池光电性能.pdf

优化缓冲层界面工艺提升CZTSSe太阳能电池光电性能.pdf

    摘要

    摘要

    铜锌锡硫硒（CZTSSe）太阳能电池凭借资源丰富、环境友好及高光吸收系数等优势，

    成为薄膜光伏的研究热点。然而，受限于体相缺陷与界面复合，其光电转换效率仍待突破，

    其中缓冲层结构是关键制约因素。本文聚焦于In3+掺杂CdS缓冲层与ZnO过渡层两大优化

    策略，系统探究了材料微观结构与器件性能的构效关系。研究旨在通过抑制界面复合、提

    升开路电压（Voc）与填充因子（FF），最终提升CZTSSe电池的效率。

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