1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子设计

低增益雪崩二极管的读出电子学研制与性能研究.pdf

低增益雪崩二极管的读出电子学研制与性能研究.pdf

    摘要

    摘要

    高能物理实验的深入发展对粒子探测器的性能提出了更高要求，尤其是在时间与空间

    维度上实现高精度测量。低增益雪崩二极管（Low-GainAvalancheDiode,LGAD）作为一种

    革命性的高性能硅探测器，凭借其内置的雪崩增益机制，可获得皮秒量级的时间分辨率，

    且兼具优良的抗辐照特性，从而在高亮度对撞机环境（如高亮度-大型强子对撞机：HL-LHC）

    及众多未来前沿实验中展现出巨大的应用潜力。LGAD

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >