华南理工大学2025年强基计划(材料科学)材料科学团队试题及答案.docxVIP

华南理工大学2025年强基计划(材料科学)材料科学团队试题及答案

一、基础理论与概念辨析（共40分）

1.晶体结构与缺陷分析（15分）

（1）已知面心立方（FCC）结构金属铜的原子半径为0.128nm，计算其理论密度（铜的原子量为63.55，阿伏伽德罗常数取6.02×1023mol?1）。（5分）

（2）某半导体材料中存在空位与间隙原子两种点缺陷，实验测得其电导率随温度升高先增加后降低，试结合缺陷形成能与载流子浓度的关系解释该现象。（10分）

答案：

（1）FCC结构中，晶胞边长a与原子半径r的关系为a=2√2r=2√2×0.128nm≈0.362nm=0.362×10??cm。FCC晶胞含4个原子，晶胞体积V=a3≈(0.362×10??cm)3≈4.74×10?23cm3。理论密度ρ=(4×63.55)/(6.02×1023×4.74×10?23)≈8.96g/cm3。

（2）半导体中，点缺陷（空位、间隙原子）可作为载流子（电子或空穴）的产生源或复合中心。低温时，热激活能量不足以形成本征载流子，缺陷电离提供主要载流子，温度升高使缺陷电离度增加，电导率上升；高温时，本征载流子浓度随温度指数增长（n∝exp(-Eg/2kT)），但缺陷浓度趋于饱和（缺陷形成能Ed为定值，平衡浓度n∝exp(-Ed/kT)），此时缺陷作为复合中心的作用增强，载流子复合概率增加