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CMP设备研发工程师考试试卷及答案

CMP设备研发工程师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.CMP的全称是__________。

2.CMP设备核心部件包括研磨头、工作台、__________和修整器。

3.硅片抛光常用磨料类型是__________。

4.抛光液主要成分包括磨料、__________和添加剂。

5.CMP工艺主要目的是实现晶圆表面__________。

6.研磨垫修整常用工具是__________。

7.晶圆在CMP中通常通过__________固定在研磨头。

8.终点检测常用方法是__________（写出一种即可）。

9.控制研磨压力的系统是__________。

10.研磨垫主要作用是均匀分布抛光液和__________。

填空题答案：

1.化学机械抛光2.浆料输送系统3.二氧化硅4.化学试剂5.全局平坦化6.金刚石修整器7.真空吸附8.光学发射光谱法9.压力控制系统10.传递研磨压力

单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪项不是CMP设备核心子系统？（）

A.研磨头系统B.浆料输送系统C.温度控制系统D.物流运输系统

2.硅片抛光时抛光液pH值通常控制在（）范围？

A.酸性B.中性C.碱性D.任意

3.研磨垫主要材质是（）？

A.金属B.树脂C.陶瓷D.玻璃

4.以下哪种方法不属于CMP终点检测技术？（）

A.光学法B.电学法C.重量