- 1
- 0
- 约1.58万字
- 约 13页
- 2026-08-21 发布于重庆
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119152292A
(43)申请公布日2024.12.17
(21)申请号202411631752.8
(22)申请日2024.11.15
(71)申请人杭州平祥数字技术有限公司
地址310000浙江省杭州市莫干山路1418-
66号4幢502室
(72)发明人王海平赵国吉吕明桀严雁峰
吴建明周光彬吕猛陈礼滨
韩彩丽
(74)专利代理机构深圳利联知识产权代理事务
所(普通合伙)44866
专利代理师蒋勇华
(51)Int.Cl.
G06V10/764(2022.01)
G06V10/40(2022.01)
您可能关注的文档
- CN119153586A 一种TOPCon太阳能电池的制备方法 (横店集团东磁股份有限公司).pdf
- CN119153535A 一种非对称超级结mosfet结构及其制造方法 (浙江大学).pdf
- CN119153534A 一种超级结沟槽mosfet结构及其制造方法 (浙江大学).pdf
- CN119153507A 一种半导体器件及其制备方法和电子设备 (深圳平湖实验室).pdf
- CN119153446A 半导体结构及其制备方法 (粤芯半导体技术股份有限公司).pdf
- CN119153368A 一种用于半导体制造的片上片下晶圆测温装置 (中国计量科学研究院).pdf
- CN119153352A 抛光过程中测量晶圆金属薄膜厚度的方法、装置、抛光设备和存储介质 (华海清科股份有限公司).pdf
- CN119153351A 金属膜厚度测量方法、装置、设备、抛光方法和存储介质 (华海清科股份有限公司).pdf
- CN119153320A 半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).pdf
- CN119153221A 电抗器隔振系统的振动分析方法、程序产品和电子设备 (广东电网有限责任公司中山供电局).pdf
原创力文档

文档评论(0)