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半导体器件物理（第2版）模拟试卷B参考答案.docx

半导体器件物理（第2版）模拟试卷B参考答案.docx

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    PAGE

    《半导体器件物理》期末试卷（B）（参考答案）

    题号

    一

    二

    三

    四

    总分

    得分

    阅卷人

    (注：可以使用函数型计算器)

    相关参数和公式提示：

    ，，，，（室温T=300k）

    （N：衬底掺杂浓度）

    ，,

    ，

    得分

    阅卷人

    一、判断题：(每题1分，共15分)

    1.(√)半导体晶体一个重要的特性就是所谓的各向异性。因此，制造不同类型的器件通常需要选择不同的晶向。

    2.(√)形成N型半导体通常选择的掺杂元素是P（磷）。

    3.(√)正向PN结中空间电荷区的

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