3-1电力电子器件 - 4 IGBT.pptxVIP

电力电子器件;;IGBT的特点：输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、阻断电压高、可承受电流大。

;IGBT的结构：

四层半导体器件。通过组合PNP和NPN晶体管来实现，它们构成了PNPN排列。

;IGBT的结构：

最靠近集电极区的层是(P+)衬底，即注入区。

在它上面是漂移区域N-层。

漂移区域的上面是主体区域P。

靠近发射极，在主体区域内部，有(n+)层。;IGBT的工作原理：

当集电极相对于发射极处于正电位时，N沟道IGBT导通，栅极相对于发射极也处于足够的正电位。这种情况导致在栅极正下方形成反型层，从而形成沟道，并且电流开始从集电极流向发射极。;IGBT的电路：

相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。

;IGBT的静态特性：

集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系与功率MOSFET类似。

;IGBT的动态特性：

IGBT的开关过程包括上升、开通和关闭。

开关响应时间长短和延迟是其关键性能。

;IGBT的部分性能参数：

（1）集射极间电压VCE。

（2）集电极额定直流电流IC。

（3）集电极功耗Ptot。

......;IGBT的擎住效应：

IC?↑→寄生NPN导通→PNP-NPN正反馈→擎住。

避免擎住的措施：

限制IC；

优化器件结构（如短沟道设计）；

确保驱动电路快速关断。