3-1电力电子器件 - 6 宽禁带半导体（拓展）.pptxVIP

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电力电子器件-宽禁带半导体

在阻断状态，能承受高电压；在导通状态，能导通较大的电流并具有较低的导通电压降。

在开关状态切换时，具有较短的开关时间，能承受高di/dt和du/dt，具有低开关损耗。

运行时具有全控功能和良好的温度特性。

电力电子器件-宽禁带半导体

宽禁带半导体材料指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料。

硅的禁带宽度为1.12电子伏特（eV）。

典型材料

碳化硅（碳化硅）、氮化镓（GaN）、金刚石等。

优势

耐高电压

低通态电阻

更好的导热性能和热稳定性

更强的耐受高温和射线辐射能力。

难点

原材料的提炼；

半导体制造工艺。

概念