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GaN基PN结二极管国内外研究现状文献综述

对于功率器件半导体器件、功率电力电子器件来说，导通电阻和击穿电压是衡量其工作性能的两个十分重要的参数。导通电阻和击穿电压两个工作性质都与半导体器件自身结构中的漂移区的电子速度和密度密切相关，因此，设计掺杂浓度合适、且电阻率较低的的高性能电子的漂移区很是重要[7]，另外，在实际应用器件中，虽然需要施加反向偏置的漂移区是主要的器件电压驱动承受层，但反向偏置阻断区的电压仅限于器件边缘的击穿[7][8]。因此，为了大大降低边缘终端电场的运动集中度，我们经常需要在器件主结的边缘末端制备一个终端电场结构，提高终端器件的自动击穿边缘电压[7][8]。

由于GaN材料的来源于金属有机物，金属有机原材料是其生长基础，所以，在利用外延工艺生长GaN材料的过程中引入其他的杂质是不可避免的[7]。由于外延工艺生长GaN材料所引入夫人过程杂质的浓度往往与器件漂移区的电子或者空穴浓度数量相当，这种现象严重影响了GaN垂直pn结中载流子漂移区电子和空穴浓度的调节[9]。因此，寻找一种方法，正确地调配pn结载流子漂移区外延生长所需要的外界条件，通过控制漂移区在外延过程中引入的杂质密度，从而精确控制半导体中电子和空穴的浓度就显得十分有价值[7]。

此外，在GaN基垂直pn二极管电极结构的设计中，一般是采用在外延生长的半导体层中形成p型区域，还有一种办法是在半导体器件外