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SOI横向功率器件概述

SOI(Silicon-On-Insulator)，即绝缘衬底上的硅，一种新型结构的硅材料，该技术在顶层硅和背衬底之间添加了一层埋氧化物埋层，具有特殊的性质。SOI材料拥有许多体硅不具备的特性：可以实现器件的介质隔离，相比传统材料具有更好的抗辐照能力，在很大程度上消除了体硅集成电路中带来负面影响的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。并且近年来发展迅速，作为集成电路的一个分部，经历了从智能功率系统到片上功率系统的过程，被誉为“21世纪的硅集成技术”。SOI材料的埋氧层结构，极大得减小了SOI器件敏感节点收集电荷量，因而具有抗瞬时辐射和抗单粒子效应的能力。因此SOI电路已被广泛应用于空间、军事等领域。同时，随着半导体技术的发展，SOI材料的质量得到了提高而制造成本则逐渐降低。相应的，SOI技术在消费电子领域内也得到了快速地发展。SOI将会成为微电子集成电路的主流技术。

其中SOI横向功率器件是影响器件性能的重要器件，尤其是在SOI基的PIC和PSOC中ADDINNE.Ref.{BBF187F4-A002-4921-AFAE-ADE5B3CB0DC1}[3]。然而该器件在关态的时候通常要承受较高的电压，而在开态的时候又要流过较大的电流，所以