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氧化镓与金刚石：超宽禁带半导体材料在极端功率与高温电子器件中的探索性研究

本报告概述

本报告聚焦于第三代半导体技术演进的前沿阵地，以超宽禁带半导体材料——氧化镓（Ga2O3）与金刚石为核心研究对象，深度剖析其在极端功率与高温电子器件领域的探索性研究趋势。报告研究范围涵盖材料衬底制备、掺杂控制、热管理架构及潜在应用场景的系统级评估。

核心趋势发现表明，超宽禁带半导体正处于从实验室基础研究向产业化初期过渡的关键加速期。氧化镓凭借极高的临界击穿电场与极低的导通电阻优势，在高压功率器件领域展现出颠覆性潜力；而金刚石则以其卓越的热导率与载流子迁移率，成为解决极端环境热管理瓶颈与高温电子