IEC 63068-42022 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第4部分使用光学检查和光致发光组合方法识别和评估缺陷的程序标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准第4部分：使用光学检查和光致发光组合方法识别和评估缺陷的程序标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices-Part4:Procedureforidentifyingandevaluatingdefectsusingacombinedmethodofopticalinspectionandphotoluminescence

摘要

关键词：碳化硅；同质外延片；功率器件；缺陷检测；光学检查；光致发光；无损识别；国际标准

Keywords：SiliconCarbide(SiC);HomoepitaxialWafer;PowerDevices;DefectDetection;OpticalInspection;Photoluminescence;Non-destructiveRecognition;InternationalStandard

1.引言

1.1研究背景