LED照明技术创新解析与应用.pptVIP

第十章LED芯片制造技术;国内外芯片企业介绍;所在城市;蓝光LED芯片基本结构;;芯片基本结构:SiC垂直结构;GaN-LED芯片的基本结构;芯片基本结构:Flip-chip;半导体技术与工艺链;第一节制造LED芯片的工艺流程;第11页;1、半导体单晶生长及衬底片加工;

元素半导体的代表为硅（Si）和锗（Ge）；也称为第一代半导体；

化合物半导体被称为第二、三代半导体材料，代表材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等。;所谓“外延生长”就是在高真空条件下，采用分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD)等方法，在晶体衬底上，按照某一特定晶面生长的单晶薄膜的制备过程。

半导体外延生长主要采用MBE和MOCVD工艺。;3、芯片制作;基本工艺流程;MOCVD外延;清洗;n区光刻;;去胶;p电极蒸发;P电极光刻;P电极腐蚀;去胶;P电极合金;N电极光刻;N电极蒸发;N剥离;N退火;P压焊点光刻;P压焊点蒸发;P压焊点剥离;钝化层沉积;钝化层光刻;钝化层刻蚀;钝化层去胶;中道终测检验;减薄;划片;裂片;扩膜;划片,裂片工作流程图;测试分检;总的来说，LED制作流程分为两大部分：

1、首先在衬低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCV