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双轴应变调控二维AlN和GaN载流子输运性质的理论研究.pdf

双轴应变调控二维AlN和GaN载流子输运性质的理论研究.pdf

    摘要

    本论文基于第一性原理计算结合玻尔兹曼输运理论，系统分析了二维六方AlN和

    GaN半导体在室温下的载流子输运性质，并揭示了它们的载流子迁移率随载流子浓度

    （n2D）变化的规律。在低载流子浓度（n2D=1×1010cm-2）下，AlN的电子迁移率基本

    -1-1-1-114-2

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