tsmc12中要注意的事项.pptxVIP

Tsmc12NMStdcell;剖面图;M0ODM0PO;GRID;List;Fin;Fin;Fin;AA;PO中心到PO中心;PODE;CPODE;POCPO;CPO;M0OD;M0OD;M0ODCM0OD;M0OD;M0_PO;M0_PO;M0_PO;M0_PO;M0PO;VIA0;接电源和地的VIA0;VIA0Alignment;接电源和地的VIA0;接电源和地的VIA0;M1CA/M1CB;M1/V1/M2;M2_P48/M3_P48;VTS_N/VTS_P;CCP;CPO_N/M0PO_N;和LEF相关;和LEF相关;END;Tsmc12analog;核心区别概述：;具体方面对比：;2.匹配方式：

?模拟：

■核心要求：匹配是模拟电路（差分对、电流镜、电阻分压器）的生命线。版图的首要目标是实现器件参数的完美匹配（Vth,β,R）。

■精密匹配技术：

■共质心布局：消除工艺梯度影响（如线性和径向梯度）。常见结构有叉指、交叉四管（Quad）、二重四管（Octo）。

■相同方向：所有匹配器件严格保持相同的版图方向（尤其是栅极方向），消除光刻和刻蚀的各向异性影响。

■相同环境：匹配器件周围环境（密度、金属、邻近效应）尽可能一致（使用Dummy器件）。

■连线对称：连接匹配器件的金属线在长度、宽度、层数、走向上力求完全对称。

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