原创力文档10八面体空位在直拉硅中
ITSUMI
MANABU
NTT生活与环境技术，三之宮若宫3-1，厚木市，神奈川县，
243-0198
10.1
背景
在过去20年中，对于拉制单晶硅（CZ‑Si）生长的研究取得了若干突破
（图10.1）。从1979年到1982年，有关CZ‑Si中存在的氧化的报告陆续出现
（Nakajima
等.
1979，Itsumi
等.
1980，Itsumi和Kiyosumi
1982），不久之
后，人们提出可以通过牺牲氧化（
10八面体空位在直拉硅中
ITSUMI
MANABU
NTT生活与环境技术，三之宮若宫3-1，厚木市，神奈川县，
243-0198
10.1
背景
在过去20年中，对于拉制单晶硅（CZ‑Si）生长的研究取得了若干突破
（图10.1）。从1979年到1982年，有关CZ‑Si中存在的氧化的报告陆续出现
（Nakajima
等.
1979，Itsumi
等.
1980，Itsumi和Kiyosumi
1982），不久之
后，人们提出可以通过牺牲氧化（
文档评论（0）