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最新半导体基础知识习题

一、单项选择题（共20题，每题1分，共20分。每题只有一个正确答案，将答案序号填入题后括号内）

室温（300K）下，本征硅的禁带宽度约为（）

A.0.67eVB.1.12eVC.1.43eVD.3.40eV

N型硅半导体中，通常掺入的施主杂质是（）

A.硼B.磷C.镓D.铟

室温下，硅PN结的内建电势（接触电势差）约为（）

A.0.2VB.0.7VC.1.5VD.3.0V

半导体中载流子扩散运动的驱动力是（）

A.电场力B.浓度梯度C.温度差D.压力差

本征半导体的导电性能随温度升高的变化规律是（）

A.显著增强B.显著减弱C.保持不变D.先增强后减弱

室温附近，硅二极管的反向漏电流随温度变化的规律是（）

A.每升高10℃，约增大1倍B.每升高10℃，约减小1倍

C.每升高1℃，约增大10%D.不随温度变化

7.室温（300K）下，半导体物理中的热电压VT（kT/q）约为（）

A.10mVB.26mVC.52mVD.100mV

若某双极型晶体管（BJT）的共基极电流放大系数α=0.99，则其共射极电流放大系数β约为（）

A.99B.101C.0.99D.0.01

BJT工作在放大状态的外部偏置条件是（）

A.发射结正偏，集电结正