集成电路可靠性设计与评价 课件03-1集成电路失效机理.pptx

集成电路可靠性设计与评价

第三章集成电路失效机理

3.1、晶圆级失效机理3.1.1、热载流子效应3.1.2、与时间有关的栅介质击穿3.1.3、电迁移3.1.4、PMOSFET负温度偏置不稳定性3.1.5、CMOS电路的闩锁效应3.1.6、制程整合引入的损伤

3.1、晶圆级失效机理1.热载流子效应热载流子是指在强电场作用下获得高能的载流子，它们易注入氧化层形成固定电荷，并损伤硅-氧化层界面产生悬挂键，导致器件性能退化，影响芯片功能甚至失效。MOSFET热载流子应力测试图

95以NMOSFET为例研究热载流子效应，监测应力下阈值电压Vth、跨导gm、线性区电流Idlin、饱和区电流Idsat等参