集成电路可靠性设计与评价 课件03-3与应用有关的失效机理.pptx

集成电路可靠性设计与评价

第三章失效机理

3.3、与应用有关的失效机理

3.3与应用有关的失效机理01静电放电损伤02与铝有关的界面效应03辐射损伤04热应力（疲劳）随着制备工艺的改进，集成电路（IC：IntegratedCircuit）的制造水平和可靠性得到了改善，但随着集成电路性能及复杂程度的不断提高，其工作条件及环境也更多样、更复杂，在应用中失效率水平并未明显改善。从应用造成失效的统计结果来看，主要包括运输及装调过程的静电损伤，辐射环境下的辐射损伤，功率密度提升引起的热疲劳等。

3.3.1静电放电损伤1静电的产生静电的定义为：“是一种处于相对稳定状态的电荷。