集成电路可靠性设计与评价 课件09-2失效机理可靠性评价.pptx

集成电路可靠性设计与评价

第九章9.2节集成电路可靠性评价

9.2、集成电路主要失效机理的可靠性评价9.2.3、金属互连线的电迁移9.2.4、PMOSFET负偏置温度不稳定性9.2.5、单粒子效应9.2.6、电离总剂量效应9.2.1、热载流子注入效应9.2.2、与时间有关的栅介质击穿

热载流子注入效应(HCI)载流子(如电子)在向界面障碍移动过程中获得能量，使其有足够的能量越过该障碍，导致逻辑高低电平间的状态差异减弱，最终造成MOSFET开关特性退化。

常使用“幸运电子模型”（LuckyElectronModel）对因热载流子注入导致的元器件故障率进行建模：其中，????????为与属