原创力文档半导体器件物理;;4.1MOS结构的C-V特性;4.1MOS结构的C-V特性;;;平带;费米势：表示半导体内部本征能级Ei与费米能级EF之差。;电荷分布：;N型衬底MOS电容能带图：;C-V曲线测量是在直流偏置上叠加一交流小信号（≤20mV）进行。;对于金属-氧化物-半导体三种材料接触在一起的MOS结构，它们的功函数差仅由金属和半导体决定。;不同栅电极材料的功函数差与衬底浓度的关系;Qit：处于SiO2-Si界面处，其能级位于Si禁带中的陷阱通过俘获或发射电子（或空穴）引起的电荷;平带电压:恢复半导体表面能带到平直状态所需加的栅电
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