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硅光芯片的耦合损耗降低工艺优化

一、引言

硅基光电子技术凭借与成熟互补金属氧化物半导体工艺的兼容性，具备集成度高、制造成本低、功耗优势明显等特点，已经成为高速光通信、智能光计算、车载激光雷达、高精度生物传感等领域的核心支撑技术。随着单通道传输速率从百吉量级向太赫兹量级演进，硅光芯片的链路损耗预算逐渐成为制约系统整体性能的核心因素。在硅光芯片的全链路损耗构成中，耦合端口的损耗占比超过六成，无论是芯片与外部传输光纤的耦合，还是芯片内部不同材料功能器件之间的耦合，过高的耦合损耗不仅会拉高激光器的出光功率要求、抬升系统整体功耗，还会压缩信号的传输距离、降低接收端的信号信噪比，严重时甚至会导致整个光链路