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半导体GaN-on-SiC技术考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.GaN-on-SiC技术中，SiC衬底的主要作用是什么？

A.导电层

B.功率层

C.衬底层

D.保护层

2.GaN-on-SiC技术的主要优势是什么？

A.成本低

B.高功率密度

C.高频性能差

D.热稳定性差

3.GaN-on-SiC技术中，GaN材料的主要特性是什么？

A.高电阻率

B.高电子迁移率

C.低击穿电压

D.低热导率

4.GaN-on-SiC技术中，SiC衬底的导热系数大约是多少？

A.10W/m·K

B.200W/m·K

C.300W/m·K

D.500W/m·K

5.GaN-on-SiC技术