CN119351965A 铁电薄膜的制备方法及应用 (中国科学院微电子研究所).pdfVIP

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  • 2026-11-11 发布于重庆
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CN119351965A 铁电薄膜的制备方法及应用 (中国科学院微电子研究所).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119351965A

(43)申请公布日2025.01.24

(21)申请号202411455486.8

(22)申请日2024.10.17

(71)申请人中国科学院微电子研究所

地址100029北京市朝阳区北土城西路3号

(72)发明人罗庆李冠霖王渊

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

公司11021

专利代理师鄢功军

(51)Int.Cl.

C23C14/35(2006.01)

C23C14/16(2006.01)

C23C14/18(2006.01)

C23C14/58(2006.01)

C23C14/34(2006.01)

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