PECVD 法制备氮化硅薄膜的研究进展.pdfVIP

材料导报网刊 2008 年1 月第1 期 ·36 · PECVD 法制备氮化硅薄膜的研究进展* 王育梅，吴孟强，张树人 ( 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054) 摘要 等离子增强型化学气相沉积(PECVD)是目前较为理想和重要的氮化硅薄膜制备方法。着重介绍了 PECVD 法制 备氮化硅薄膜工艺参数的研究进展。 关键词 氮化硅薄膜 PECVD 工艺参数 Research Progress in Preparation of Si N Thin Films by PECVD 3 4 WANG Yumei ，WU Mengqiang ，ZHANG Shuren (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054) Abstract Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is one of more perfect and important methods to prepare Si N thin films. This paper introduces the research progress in processing parameters of the preparation of Si N thin films by 3 4 3 4 PECVD. Key words Si3N4 thin films, PECVD, processing parameters 子体使存在于沉积反应空间中的气体被活化，吸附在衬底上 0 引言 而发生化学反应，从而能够在更低的温度下生成新的介质薄 氮化硅是一种性能优良的功能材料，它具有良好的介电 膜，而沉积反应中可能形成的副产物则从衬底上解吸出来， 特性(介电常数低、损耗低) 、高绝缘性，且高致密性的氮化 随主气流由真空泵泵出系统。其中，激发的活性物由等离子 + 硅对杂质离子，即使是小体积的Na 都有很好的阻挡能力。 体中的低速电子与气体分子撞击产生。图 1 是美国VSM 公 因此，氮化硅被作为一种高效的器件表面钝化层而广泛地应 司的PECVD 设备的结构功能模块简图。 [1～3] 用于半导体器件工艺中 ，如用于MOSFET 、HBT 、HEMT 。 石 英 管 氮化硅还应用于集成电路的层间绝缘、介质电容、耐磨抗蚀 涂层等[4，5] 。近年来，氮化硅被应用于铁电存储器中，防止 氢损伤而作为氢阻层材料使用[6，7] 。此外，氮化硅薄膜具有 优良的机械性能和良好的稳定性，所以在新兴的微机械加工 机 温 械 度 [8，9] RF 发生器