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* Gas Supply System 氣體供應系統簡介 課 程 大 綱 系統之目的 氣體之種類 系統之基本要求 系統之流程圖 空壓機/乾燥機之構造原理 純化器之構造原理 氣瓶櫃之構造原理 VMB之構造 系統設備之材料要求 系統供應品質要求 運轉操作注意事項 系統之目的 供應高純度氣體以驅動氣動閥及PUMP 供應高純度氣體以參與擴散製程 供應高純度氣體以參與離子化反應 供應高純度氣體以參與化學氣相沉積 供應高純度氣體以參與乾蝕刻製程 供應高純度氣體以吹淨製程設備零配件及反應室 氣體之種類與用途(一) 大宗氣體(Bulk Gases)： N2,O2,H2,He,Ar 壓縮空氣(Compressed Air):CDA,IA 特殊氣體(Specialty Gases): 1.可燃性：B2H6，SiH2Cl2 ，NH3 ， TEOS，CO... 2.自燃性：SiH4，PH3，Si2H6... 3.助燃性：N2O，NF3，CL2... 4.腐蝕性：Cl2，HBr，BCl3，WF6，NH3... 5.毒性：SiH4，SiH2Cl2，PH3，Si2H6，WF6，TEOS... 6.惰性：C2F6，CF4，CHF3，C4F8，SF6… (同一物質，可能同時具備多種不同之特性) 氣體之種類與用途(二) Epitaxial Growth：SiH4，SiH2Cl2... Lithography：Ne-Kr，Ne-Kr-F2 Ion Implant：AsH3，PH3... Chemical Vapor Deposition： SiH4，PH3，B2H6，SiH2CL2，Si2H6... Diffusion：NO.. Dry Etching：Cl2，BCl3，CF4，CHF3... 系統之基本要求 操作安全：腐蝕性、毒性、耐壓、防爆之考量 高純度氣體品質與零污染控制：潔淨材料施作 微粒子控制：過濾器過濾 滿足最大需求流量：系統配置單元數量 自動控制操作：系統單元操作自動化 取樣分析：系統、管路之粒子數、不純物含量 取樣連續監測 洩漏警報：洩漏偵測器及緊急關閉系統 氣體用量統計:使用流量計連續計量 系統之流程圖-N2 Provided by BOCLH N2 Purifier PN2 Outlet GN2 Outlet N2 空壓機 Vaporizer LN2 Tank N2 Generator Filter Filter 灌充槽車 液態LN2 經吸熱 蒸發成氣態GN2 液態 N2 貯存槽 液態 N2 灌充槽車 GN2經純化器去除 不純物後形成PN2 供應機台製程使用 N2產生機去除Air 中之O2,He,Ar成份 後,製成高品質GN2 GN2經過濾器 以去除Particle GN2供應生產 機台一般使用 回 流 5% 製 成 LN2 貯 存 以Air為 原料 系統之流程圖-O2 Provided by BOCLH O2 Purifier O2 Tank Filter Vaporizer 灌充槽車 PO2 Outlet 液態LO2 經吸熱 蒸發成氣態GO2 液態 LO2 貯存槽 液態 LO2 灌充槽車 GO2經過濾器 以去除Particle GO2經純化器去除 不純物後形成PO2 供應機台製程使用 系統之流程圖-He Provided by BOCLH He Purifier PHe Outlet Filter He Panel He Bundle He Trailer GHe經純化器去除 不純物後形成PHe 供應機台製程使用 GHe經過濾器 以去除Particle He閥組切換盤 He鋼瓶組供應 He鋼瓶拖車供應 更換He鋼瓶組時直接 以He吹淨管路後再作 Cycle-purge 系統之流程圖-Ar Ar Purifier Provided by BOCLH Filter Vaporizer 灌充槽車 AR Tank PAr Outlet 液態 LAr 貯存槽 GAr經純化器去除 不純物後形成PAr 供應機台製程使用 GAr經過濾器 以去除Particle 液態LAr 經吸熱 蒸發成氣態GAr 液態 LAr 灌充槽車 系統之流程圖-H2 H2 Purifier H2 Bundle H2 Trailer Provided by BOCLH Filter H2 Panel PH2 Outlet H2閥組切換盤 GH2經純化器去除 不純物後形成PH2 供應機台製程使用 GH2經過濾器 以去除Particle H2鋼瓶拖車供應 H2鋼瓶組供應 Purge N2 Purge Vent 更換H2鋼瓶組時用以 吹淨管路後再以H2作 Cycle-purge 系統之流程
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