Bi2O3 薄膜的制备及其电阻开关特性的研究.pdfVIP

下载本文档

18
0
约2.1万字
约 4页
2017-09-18 发布于安徽
举报
版权申诉

Bi2O3 薄膜的制备及其电阻开关特性的研究.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第27 卷第3 期无机材料学报 Vol. 27 No. 3 2012 年3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2012 文章编号: 1000-324X(2012)03-0323-04 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.00323 Bi O 薄膜的制备及其电阻开关特性的研究 2 3 1 1 2 1 季振国 , 王君杰 , 毛启楠 , 席俊华 (1. 杭州电子科技大学电子材料与器件工艺实验室, 杭州 310018; 2. 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027) 摘要: 电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一. 实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi + O 薄膜, 并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi O /n Si/Al 结构的电阻开关特性进 2 3 2 3 行了研究. XRD 分析结果表明, 射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3 薄膜结晶性能好, (201)取向明显. I- V 曲线测试结 + + 果表明, Au/Bi O /n Si/Al 结构具有单极性电阻开关特性. 通过对不同厚度 Bi O 薄膜的Au/Bi O /n Si/Al 结构I- V 2 3 2 3 2 3 特性比较发现, 随着薄膜厚度的增加, 电阻开关的Forming 、Set 和Reset 阈值电压均随之增加. 对于Bi2O3 薄膜厚度为31.2 nm 的Au/Bi + O /n Si/Al 结构, 其Forming 、Set 和Reset 阈值电压均低于4 V, 符合存储器低电压工作的要求. 2 3 关键词: Bi O 薄膜; 电阻开关特性; 薄膜厚度