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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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被注入 后的磁性及其整流特性的研究!
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周剑平 陈诺夫 宋书林 柴春林 杨少延 刘志凯 林兰英
（中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京 !#$ ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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采用离子束技术，在 型硅基片中注入稀土元素钆，制备了磁性 非磁性 结 磁性层 表现出优良的
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磁学性能，高居里温度，高原子磁矩（利用 模型可以得到解释），低矫顽力，并保持着半导体的属性，磁性 非磁
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性)(’ 结具有整流特性，但没有观察到明显的磁电阻效应*
关键词：磁性半导体，磁性 结，钆的硅化物，离子束外延
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居里温度很低（ ），对铒掺杂的磁性半导体
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引 言 尚未见报道 另一种是掺杂钆元素，由于钆在硅、锗
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等半导体中的固溶度很小，只有很少的报道
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稀磁半导体（ ， !% !5
,.;=, ?@A’=.B C?.BD’,B=DEC +, -. ，这方面的研究也仅限于 +, -. 的
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FG-）在磁性物理学和半导体物理学之间架起了一 金属 绝缘转变（ ，
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