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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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变 组分沟道的 材料电子输运特性研究!
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仇志军 蒋春萍 桂永胜 疏小舟 郭少令 褚君浩
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崔利杰 曾一平 朱战平 王保强
!）（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 #$$$% ）
# ）（中国科学院半导体研究所，北京 !$$$% ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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在变缓冲层高迁移率晶体管（ ）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 通过低温
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下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的 测量，系统研究了不同 组分沟道 器件中
)-.. /0 ’’()*’+
子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系 结果表明，沟道中 组分为 的样品，材料电学性能最好， 组分高
, /0 $ 123 /0
于$ 123 的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能,
关键词：变缓冲层高迁移率晶体管， 振荡
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!1 引 言 # 1 样品结构与实验
高电子迁移率晶体管（ ）由于其在高频和 材料结构设
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