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第27卷第2期 光电技术应用 Vol.27,No.2
2012年4月 ELECTRO-OPTICTECHNOLOGYAPPLICATION April,2012
·光电器件与材料 ·
以CuPc为空穴传输层的染料敏化异质结电池的特性研究
1 2
梁 嘉 ,滕 枫
(1.中海油新能源投资有限责任公司新能源研究院,北京 100015;2.北京交通大学光电子技术研究所,北京 100044)
摘 要:制备以酞菁铜CuPc为空穴传输层,有机染料-二氢吲哚D102(C H NOS)为敏化染料的染料敏化异质结电池DSH
37 30 2 3 2
(Dye-sensitizedheterojunctionsolarcells)。研究不同厚度CuPc空穴传输层:40nm、80nm和120nm的电池的性能,得到在其厚度
2 2 - -
为40nm时,电池的Jsc=248.3μA/cm ,Voc=0.61V,ŋ=0.042%(80mW/cm 氙灯测试)。对比采用I /I 氧化-还原对为液态电解质
3
的染料敏化TiO 纳米晶太阳电池,分析以CuPc为空穴传输层的DSH电池效率较低的原因。2
关键词:染料敏化TiO太阳电池;DSH;CuPc;二氢吲哚D1022
+
中图分类号:TM914.4 1 文献标识码:A 文章编号:1673-1255-(2012)02-0043-04
Dye-sensitized Solar Cell by Using CuPc as Positive Hole Transport Layer
LIANGJia,TENGFeng1 2
(1.NewEnergyInstitute,CNOOCNewEnergyInvestmentCo.,Ltd.,Beijing100015,China;
2.InstituteofOptoelectronicTechnology,BeijingJiaotongUniversity,Beijing100044,China)
Abstract: ThepositiveholetransportlayerispreparedwithCuPc,andthedye-sensitizedheterojunctionso⁃
larcells(DSH)ispreparedwithdihy-droindol-D102 (C H NOS).ForCuPcpositiveholewithdifferent
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thickness,theperformanceof 40 nm, 80 nmand 120nmcellsisresearched.Whenthethicknessis 40 nm,sc=
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