铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展：生长行为与控制制备.pdfVIP

2012 年 第 57 卷 第 23 期：2158 ~ 2163 《中国科学》杂志社 评 述 SCIENCE CHINA PRESS 铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展: 生长行为与 控制制备 ①* ①* ② ② ① 马来鹏 , 任文才 , 董再励 , 刘连庆 , 成会明 ① 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室, 沈阳 110016; ② 中国科学院沈阳自动化研究所, 机器人学国家重点实验室, 沈阳 110016 * 联系人, E-mail: lpma@; wcren@ 2011-12-27 收稿, 2012-03-16 接受 国家自然科学基金青年科学基金和机器人学国家重点实验室开放课题(RLO201012)资助 摘要 以铜作为基体的化学气相沉积法(CVD)是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法, 具有 关键词 产物质量高、层数均一等优点, 已成为制备大面积、单层石墨烯的主要方法. 本文围绕铜表面 石墨烯 CVD 控制生长石墨烯, 结合对石墨烯的结构和生长行为的初步认识, 介绍了质量提高、层数控 控制生长 制以及无转移生长等控制制备方面的最新研究进展, 并展望了该方法制备石墨烯的可能发展 化学气相沉积 铜基体 方向, 包括大尺寸石墨烯单晶以及不同堆垛方式的双层石墨烯的控制生长等. 作为新型的二维晶体材料, 石墨烯具有高的载 高质量少层和多层石墨烯的制备方法. 此外, 如何实 流子迁移率和导热率、高透光性和良好的化学稳定性 现大面积、高质量石墨烯的无转移生长也是目前CVD 等, 在电子器件、透明电极材料、储能材料、功能复 石墨烯应用面临的重要挑战. 针对上述关键问题, 各 合材料等众多领域具有广阔的应用前景[1,2]. 在各种 国学者开展了广泛的研究, 在表征石墨烯的结构、理 制备石墨烯的典型方法中, 化学气相沉积(CVD)法因 解其生长行为以及发展控制制备方法等方面取得了 其可以生长大面积、高质量的石墨烯薄膜而越来越受 一系列进展. 本文基于对 CVD 石墨烯结构和生长行 到重视. 2009 年, Li 等人[3]首次在多晶铜箔表面CVD 为的初步认识, 重点介绍了控制制备研究中质量提 生长出单层占优的石墨烯. 所制备的石墨烯尺寸为 高、层数控制以及无转移生长方面的最新研究结果. 厘米级, 其中单层区域约占95%, 载流子迁移率最高 可达4050 cm2 V1 s1. 相比于之前以镍为基体的渗 1 对CVD 石墨烯结构和生长行为的初步认识 碳析碳生长方法, 铜表面生长石墨烯遵循自限制的 1.1 石墨烯生长与铜基体表面晶向的关系 表面催化生长机制, 不仅具有高质量, 而且在层数的 可控性和均一性方面更具优势[4], 并可实现大面积样 铜在石墨烯的CVD 生长过程中既是生长基体也 品的制备. 例如, Bae 等人[5] 已经采用辊压转移技术 是催化剂. 目前普遍采用压延铜箔作为基体, 它具有 制备出了 30 英寸的单层石墨烯透明导电薄膜. 然 多晶结构和复杂的表面形貌. 因此, 有必要深入研究 而, 不同研究组采用该方法生长的石墨烯质量差异 铜表面的晶体取向、微观结构等性质对石墨烯的结构 较大, 载流子迁移率从几百到数千 cm2 V1 s1 不等, 和质量的影响. Gao 等人[6]采用铜(111)单晶作为基体, 总体上与理论值(约 106 cm2 V1 s1)仍有很大差距, 乙烯为碳源, 研究了在 1000℃、超高真空条件下生长 而相比于商用的硅材料也无明显优势. 同