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第 54 卷 第 7 期 2005 年 7 月 物 理 学 报 Vol . 54 ,No . 7 ,July ,2005
10003290200554 (07) 332705 ACTA PHYSICA SINICA 2005 Chin . Phys. Soc .
非晶微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池
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1 2 1 1 1 1 1
郝会颖 孔光临 曾湘波 许 颖 刁宏伟 廖显伯
1) ( 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室 , 凝聚态物理中心 ,北京 100083)
2) ( ( ) )
中国地质大学 北京 材料科学与工程学院 , 北京 100083
(2004 年 11 月 16 日收到 ;2004 年 12 月 9 日收到修改稿)
( )
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积 VHF- PECVD 法 ,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜. 样品
的微结构 、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优 良的光电性质和微晶硅的
稳定性. 用这种两相结构的材料作为本征层制备了p-i- n 太阳能电池 ,并测量了其稳定性. 结果在 AM15 ( 100mW
cm2 ) 的光强下曝光 800 —5000min 后 ,开路电压略有升高 ,转换效率仅衰退了29 %.
关键词 : 相变域硅薄膜 , 光电特性 , 太阳能电池
PACC : 7280N , 7360N , 8630J
膜样品. 其中衬底温度 、功率密度 、沉积气压等工艺
2
1 引 言 参数固定不动 , 分别为 220 ℃, 800mWcm , 133Pa .
改变氢气对硅烷 的稀释 比例 R , R 定义为 [ H ]
2
[ SiH ] ,分别是 3 ,8 , 14 , 17 ,25 , 50 . 沉积完成后 ,对
非晶硅薄膜具有低温工艺 、耗材少 、便于大面积 4
制备及高光敏性等优点 , 已被广泛应用于光伏领域. 生长在毛石英片上的硅薄膜在真空中蒸镀了共面铝
[ 1] 电极 ,两个电极间的狭缝宽度约为 04mm. 利用测
但 SW 效应 一直是制约其发展的一个重要障碍.
一般认为非晶硅的光致衰退与其无规网络结构有 量显微镜测量了狭缝的长度和宽度 ,并利用透射谱
关 ,
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