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注入,型-单晶的特性研究.pdfVIP

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第 卷第 期 功能材料与器件学报 5O^0 / EO0 年 月 ’##( 2 UTH=E?F T@ @HELDGTE?F +?DA=G?FB ?E A5GLAB +S[8R/ ’##( 文章编号! ##$ % ’(’ ) ’##( * # % ## ( % # 注入 型 单晶的特性研究 +, , -. , ’ 刘力锋 陈诺夫 尹志岗 杨 霏 周剑平 张富强 / / / / / ( 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室,北京 0 ###123 ’0 中国科学院力学研究所 国家微重力实验室,北京 ###12 ) 7 % ’ ( ) 摘要:采用离子能量为 ,剂量为 的离子注入技术,室温下往 型 单晶 ##4.5 2 6 # 89 , -. 衬底注入 : 离子,注入后的样品进行 热处理。利用 射线衍射法) = * 和原子力显微 +, ##; % ( ) ) * 镜 ?@+ 对注入后的样品进行了结构和形貌分析,俄歇电子能谱法 ?AB 进行了组分分析,交变 ( ) 梯度样品磁强计 ?-+ 进行了室温磁性测量。结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象。没有在样品中观察到新相形成。 离子较深的注入进 衬底,在 处 +, -. ’# ,9 +, 原子百分比浓度达到最高为 。热处理后的样品表现出了室温铁磁特性。 1C 关键词:离子注入 锗 铁磁性 稀磁半导体 3 3 3 中图分类号

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