利用改进的固相外延技术改善.pdfVIP

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 . , 1999　 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S M ay 利用改进的固相外延技术改善 器件的特性 CM O S SO S 刘忠立　和致经　于　芳　张永刚　郁元桓 ( 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　 器件同体硅 器件相比, 载流子迁移率较低, 沟道漏电电流较大, 它 CM O S SO S CM O S 们主要是由异质外延硅膜缺陷, 特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的. 本文描述一种改 进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善 器件特性的实验结果. CM O S SO S : 05 10 , 2550 , 2570 EEAAC D B F 1　引言 器件是一种成熟的 技术. 由于它固有的介质隔离, 小的寄生电容, 小 CM O S SO S SO I 的源漏结面积以及消除了体硅 器件难以避免的寄生闭锁( ) 效应, 从而不但 CM O S L atch up 能提高 集成电路的工作速度及集成度, 而且具有较高的工作可靠性及优越的 CM O S SO S [ 1 ] 抗辐照性能 . 另一方面, SO S 结构中外延硅膜与蓝宝石衬底之间的晶格失配以及热膨胀系 [2 ] 数的差别等造成外延硅膜, 特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜, 具有较多的晶体缺陷 , 以致 [3 ] ( ) [4 ] 降低了载流子迁移率及增加了器件沟道漏电电流 . 采用两次固相外延 D SP E 或者固相 外延再生长(SP EA R ) [ 5 ] 可以有效减少 SO S 结构的晶体缺陷, 从而提高载流子迁移率, 同时 [ 6 ] 降低器件沟道漏电电流 . 上述固相外延技术通常包括硅离子的平均射程到达硅蓝宝石界 面的深注入, 以便使硅的非晶化到达界面, 并利用硅表面的晶体部分为籽晶实现固相外延而 消除硅膜特别是界面附近硅膜中的微孪晶和层错等晶体缺陷. 但 SO S 的深离子 自注入不可 避免地会损伤界面处的蓝宝石, 并在随后的退火过程中引起A l 的外扩散, 降低了硅膜的电 [7 ]