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三相全控可控硅整流桥空载输出电压的探讨 周尚军 武汉洪山电工科技有限公司 带桥臂RC 阻容吸收的三相全控可控硅整流桥 本文试图探讨带有桥臂RC 阻容吸收的三相全控可控硅整流桥在空载工况的 直流侧输出电压。 通常情况下，针对三相全控可控硅整流桥在空载工况的直流侧输出电压，有 两种说法：一种说法为Ud=1.35U *cosα，一种说法为Ud=0 。其中U 为整流桥交 ~ ~ 流侧线电压/ 阳极电压有效值，α为可控硅整流桥控制角，Ud 为直流侧输出电压。 以下根据三相全控整流桥电路主要元器件的电气特性和电气参数进行分析。 1、假设某一时刻，UaUbUc ，且A/C 两相均有触发脉冲。则有如下的 4 个电流通路可以构成回路。 上半桥：Q3/Q5 阻断，Q1 导通， UaQ1C3R3Ub UaQ1C5R5Uc 下半桥：Q4/Q6 阻断，Q2 导通， UaR4C4Q2Uc UbR6C6Q2Uc Ud+=Ua-Vt≈Ua Ud-=Uc+Vt≈Uc Ud=(Ud+)-(Ud-)=Ua-Uc-2Vt≈Ua-Uc=Uac 其中，Vt 为可控硅通态管压降，可以忽略。 2 、假设某一时刻，UaUbUc ，且A/B 两相均有触发脉冲。则有如下的 4 个电流通路可以构成回路。 上半桥：Q3/Q5 阻断，Q1 导通， UaQ1C3R3Ub UaQ1C5R5Uc 下半桥：Q4/Q2 阻断，Q6 导通， UaR4C4Q6Ub UaR4C4C2R2Uc Ud+=Ua-Vt≈Ua Ud-=Ub+Vt≈Ub Ud=(Ud+)-(Ud-)=Ua-Ub-2Vt≈Ua-Ub=Uab 其中，Vt 为可控硅通态管压降，可以忽略。 3、假设某一时刻，UaUbUc ，且 B/C 两相均有触发脉冲。则有如下的 4 个电流通路可以构成回路。 上半桥：Q1/Q5 阻断，Q3 导通， UaR1C1C5R5Uc UbQ3C5R5Uc 下半桥：Q4/Q6 阻断，Q2 导通， UaR4C4Q2Uc UbR6C6Q2Uc Ud+=Ub-Vt≈Ub Ud-=Uc+Vt≈Uc Ud=(Ud+)-(Ud-)=Ub-Uc-2Vt≈Ub-Uc=Ubc 其中，Vt 为可控硅通态管压降，可以忽略。 对于UaUcUb/////UbUaUc/////UbUcUa/////UcUaUb/////UcUbUa 的 五种情况下，采取与上述类似的分析方法计算整流桥电压Ud ，可得相似的结论。 小结：三相全控整流桥在空载工况下，可控硅维持导通时，整流桥空载输出 电压Ud 等于整流桥带纯电阻负载时输出电压。 Ud=1.35*U *cosα，α≤π/3 ； ~ Ud=1.35*U *[1+cos(α+π/3)] ，απ/3 ~ 条件：不同相的RC 阻容支路与可控硅SCR 元件组成的R-C-SCR 串联回路 电流大于可控硅维持电流I /擎住电流I ，而且可控硅触发脉冲持续不切除。 H L 以下核算不同相的RC 阻容支路与可控硅SCR 元件组成的R-C-SCR 串联回 路电流与可控硅维持电流I /擎住电流I 的相对大小。 H L 不同相R-C-SCR 串联回路阻抗Z (1/ ωC)2 =+R2 ≈1/ ωC =1/2πfC I=Uline/Z≈Uline* (ωC)= Uline*2πfC 通常情况下，桥臂 RC 回路电阻 R= 十欧姆至几十欧姆，电容 C=0.25~0.5~1~2uF，励磁变压器副边线电压Ul