吸收衬底生长的立方相发光二极管的工艺设计与实现.pdfVIP

第 卷第 期 半 导 体 学 报 ， ! # $% ’! (% ’# 年 月 ， !))! # *+,(-.- /012(34 05 .-6,*0(71*802. .9: ’ !))! !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! !#$ 吸收衬底生长的立方相!% 发光二极管的 工艺设计与实现 孙元平 张泽洪 赵德刚 冯志宏 付 羿 张书明 杨 辉 （中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室，北京 ))) ） 摘要：利用光学薄膜原理，计算了采用晶片键合技术来提高以AF3G 为衬底的立方相AF( 的出光效率的理论可行 性 以 为粘附层， 为反射层的 薄膜体系可以使立方 的出光效率从理论上提高 倍左右 实 ’ (H 3I (HC 3IC 3J AF( ! K;= ’ 验结果证实，利用键合方法实现的以(HC 3IC 3J 作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的AF(C AF3G 样品的光反 射率在理论计算的 处提高了 倍 D=# K!LM ! KD ’ 关键词：立方相AF(；晶片键合；工艺设计 ： ； #’’ ?== ?;= 中图分类号： N 文献标识码： 文章编号： （ ） 8()D K! 3 )!=@D?? !))! )#@))@)= 收作用，使得立方相 AF( 4-7 的出光效率极低，大 大限制了器件向实际应用方向的发展 针对于此，人 ( 引言 ’ 们进行了许多研究，其中较为常用的方法是利用 ［，］ 7O2 提高4-7 的出光效率; ? ’ 但是这种方法只是 最近几年，宽禁带AF( 基半导体材料由于在蓝 对于垂直入射的光具有较高的反射率，而对于斜入 绿光发光器件中有着十分重要的应用前景，引起了 射的光则没有太大的效果’ 另一种方法则是利用晶 众多实验工作者的极大兴趣，对其物理性质以及实 ［，］ 片键合的技术将器件结构键合到一个新的衬底上， 际应用进行了广泛的研究 ! ’ AF( 材料按照其结 并且去除吸收作用较强的原衬底’ 在3AF,LPC AF3G 构类型，可以分为稳态的六方相和亚稳态的立方相 ［，］ 4-7 # 上，通过键合技术把该结构键合