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第 29 卷 第 1 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 29 No. 1
2014 年 1 月 Journal of Inorganic Materials Jan. , 2014
文章编号: 1000-324X(2014)01-0038-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2014.12719
铋层状共生结构铁电体 Bi Ti NbO 的第一性原理计算
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1, 2 1 1
刘 峰 , 陆毅青 , 李永祥
(1. 中国科学院 上海硅酸盐研究所, 无机功能材料与器件重点实验室, 上海 200050; 2. 中国科学院大学, 北京 100049)
摘 要: 铋层状共生结构铁电体 Bi Ti NbO 具有天然的超晶格结构。采用基于密度泛函(DFT) 的第一性原理
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计算对 Bi Ti NbO 及其相关化合物进行了研究。计算得到 Bi Ti NbO 的生成焓为-56.21 eV, 带隙为 0.796 eV,
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而对于组成单元 Bi TiNbO 和 Bi Ti O , 生成焓分别为-30.72 和-43.32 eV, 带隙分别为 2.535 和 2.436 eV 。分
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析表明, 共生结构 Bi Ti NbO 相对于同组分的组成单元处于热力学亚稳态, 其钙钛矿层是电子电导的主要影
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响因素, 带隙相对于组成单元减小也是源于钙钛矿层的导带底的下移。
关 键 词: Bi Ti NbO ; 共生结构铁电体; 第一性原理; 生成焓; 带隙
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中图分类号: TQ174 文献标识码: A
First-principles Study of Intergrowth Bismuth Layer-structured
Ferroelectric Bi Ti NbO
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